Il ritorno del BJT: i nuovi transistor SiC a giunzione bipolare riducono i costi degli inverter fotovoltaici

Sono trascorsi oltre 30 anni da quando le alternative al CMOS come i MOSFET e gli IGBT hanno iniziato a sostituire i BJT in silicio nella maggior parte dei design di potenza; oggi, tuttavia, nuove versioni basate sul carburo di silicio (SiC) stanno facendo tornare i BJT alla ribalta, in particolar modo nelle applicazioni ad

IGBT Trench da 650V per applicazioni inverter

Un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo di potenza, un portatore minoritario con una elevata impedenza di ingresso e la capacità di commutare alte correnti bipolari.

La tecnologia degli inverter per applicazioni industriali

Le innovazioni tecnologiche nel settore degli inverter per applicazioni industriali sono diverse, rese necessarie dalle esigenze specifiche delle applicazioni.

IGBT da 650V per inverter fotovoltaici

Crescendo i consumi globali di energia elettrica cresce anche l'esigenza di fonti alternative capaci di minimizzare l'impatto sull'ambiente. La generazione di energia “pulita” si è fatta via via sempre più concretizzabile grazie alle più recenti novità in termini di tecnologie di processo, topologie di sistema e componenti.

Fairchild Semiconductor, nuovi IGBT a 650 V

Fairchild Semiconductor ha realizzato nuove serie di dispositive IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, destinati a migliorare le capacità di conversione dell’alimentazione e a semplificare le problematiche di sviluppo dei progettisti industriali.

I moduli fotovoltaici e gli inverter di Mitsubishi Electric a SAIE 2010

Mitsubishi Electric si è presentata SAIE 2010 con i moduli fotovoltaici della nuova serie PV-TJ a 60 celle e della serie PV-TD e con la gamma di inverter serie S, composta da cinque nuovi modelli.