Un IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) è un dispositivo di potenza, un portatore minoritario con una elevata impedenza di ingresso e la capacità di commutare alte correnti bipolari.
A conferma della crescente attenzione del Brasile per lo sviluppo delle energie rinnovabili, è di questi giorni l’annuncio di un gruppo di scienziati del CSEM, un istituto di ricerca del Minais Gerais, relativo alla realizzazione di un prototipo di pannelli solari in plastica, che potrebbero rivoluzionare la produzione di energia.
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