Febbraio 14, 2013

Cristiano Sala

Thin film da record, efficienza del 10,7%

I laboratori di microtecnica Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne sono stati in grado di realizzare una infrastruttura a film sottile in silicio a singola giunzione, capace di raggiungere il record di efficienza del 10,7%.

I laboratori di microtecnica Ecole Polytechnique Fédérale de Lausanne sono stati in grado di realizzare una infrastruttura a film sottile in silicio a singola giunzione, capace di raggiungere il record di efficienza del 10,7%.

Per ottenere un simile risultato si è lavorato con uno strato di materia prima di appena 1,8 micrometri, dettaglio che evidenzia l’effettiva validità di questa tecnologia. L’uso di dispositivi fotovoltaici thin film multigiunzione e silicio amorfo promette infatti di conseguire risultati ancora più interessanti, il tutto con un minimo dispendio di materiale fotosensibile e, quindi, con costi di realizzazione contenuti.
Di fatto lo strato di materia prima adottata è notevolmente inferiore rispetto alla tecnologia tradizionale, in rapporto di 100 a 1. 

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