Fairchild Semiconductor ha realizzato nuove serie di dispositive IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, destinati a migliorare le capacità di conversione dell’alimentazione e a semplificare le problematiche di sviluppo dei progettisti industriali.
Fairchild Semiconductor ha realizzato nuove serie di dispositive IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, destinati a migliorare le capacità di conversione dell’alimentazione e a semplificare le problematiche di sviluppo dei progettisti industriali.
Con la tecnologia incorporata negli IGBT field stop, Fairchild permette agli sviluppatori di realizzare sistemi ad alta efficienza e capaci di lavorare stabilmente sfruttando basse tensioni di ingresso. La nuova piattaforma consente performance ottimali, soprattutto operando in condizioni dove è richiesta una limitata perdita di commutazione e di conduzione. Gli IGBT da 650V possono gestire correnti elevate, hanno un coefficiente di temperatura positivo, una limitata distribuzione dei parametri e un ampio intervallo SOA (Safe Operating Area).
Sono stati progettati per offrire un “breakdown voltage” elevato, particolare che aumenta l’affidabilità anche in presenza di temperature ambientali negative; al diminuire della temperatura scende anche la tensione dell’IGBT e dell’FRD, rendendo questo dispositivo particolarmente adatto agli inverter solari utilizzati nei climi più freddi. Tra i vantaggi dei nuovi , Insulated Gate Bipolar Transistor Fairchild:
Higher blocking voltage senza compromettere le prestazioni
Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo
Elevata capacità di corrente per una superiore conversione DC-AC
Temperatura massima di giunzione: TJ=175oC
Bassa tensione di saturazione: VCE(sat)= 1,9V(tip.)@ Ic=40A / 60A nominale
Alta velocità di commutazione per mantenere un’elevata efficienza del sistema
Basse perdite di conduzione e di commutazione
Ampio intervallo SOA (Safe Operating Area) – consente una superiore dissipazione della potenza
Limitata distribuzione dei parametri
Conformità ROHS