Ottobre 13, 2013

di S. Araujo, L. Menezes, P. Zacharias, KDEE Università di Kassel, e T. Hjort, Fairchild Semiconductor

Il ritorno del BJT: i nuovi transistor SiC a giunzione bipolare riducono i costi degli inverter fotovoltaici

Il carburo di silicio ha donato nuova vita ai BJT. A differenza dei loro predecessori basati sul solo silicio, i BJT SiC vantano basse perdite di conduzione, un elevato campo di breakdown e un funzionamento stabile su un intervallo di temperatura molto più ampio. Usando due diverse tensioni per alimentare il circuito del driver si possono ridurre le perdite nel driver stesso e ottenere una buona efficienza. Le superiori frequenze di commutazione rendono possibile il ricorso a un induttore molto più piccolo, e questo si traduce in significativi risparmi economici a livello di sistema. Nelle applicazioni ad alta tensione come gli inverter PV, che possono sfruttare al meglio una elevata densità di potenza, un basso costo di sistema e la semplicità di progettazione, i BJT SiC mettono a disposizione un’interessante alternativa.

 

Tag

Related Posts

I dirigenti aziendali ostacolano la transizione energetica?

I dirigenti aziendali ostacolano la transizione energetica?

Trinasolar, celle i-TOPCon bifacciale con efficienza del 25,9%

Trinasolar, celle i-TOPCon bifacciale con efficienza del 25,9%

Agricoltura e bilanciamento reti: il BESS come risorsa

Agricoltura e bilanciamento reti: il BESS come risorsa

Gruppo Caviro e il più grande impianto agrivoltaico

Gruppo Caviro e il più grande impianto agrivoltaico