Sono trascorsi oltre 30 anni da quando le alternative al CMOS come i MOSFET e gli IGBT hanno iniziato a sostituire i BJT in silicio nella maggior parte dei design di potenza; oggi, tuttavia, nuove versioni basate sul carburo di silicio (SiC) stanno facendo tornare i BJT alla ribalta, in particolar modo nelle applicazioni ad alta tensione.
Sono trascorsi oltre 30 anni da quando le alternative al CMOS come i MOSFET e gli IGBT hanno iniziato a sostituire i BJT in silicio nella maggior parte dei design di potenza; oggi, tuttavia, nuove versioni basate sul carburo di silicio (SiC) stanno facendo tornare i BJT alla ribalta, in particolar modo nelle applicazioni ad alta tensione.
Il formato SiC raggiunge frequenze di switching superiori a fronte di perdite equivalenti o inferiori, e produce una potenza di uscita maggiore a parità di fattore forma. Un design che ricorra a un BJT SiC può anche adoperare un induttore più piccolo, e questo può condurre a risparmi economici sostanziali. Il processo basato sul carburo di silicio produce un BJT più costoso di quello basato sul solo silicio, ma i vantaggi derivanti dalla tecnologia SiC permettono di risparmiare su altre componenti di un progetto comportando un costo complessivo comunque inferiore. Il presente articolo presenta un convertitore step-up utilizzabile in uno stadio di conversione FV che sfrutta i vantaggi dei BJT SiC per garantire una buona efficienza a costi di sistema sensibilmente minori.