Il ritorno del BJT: i nuovi transistor SiC a giunzione bipolare riducono i costi degli inverter fotovoltaici

Sono trascorsi oltre 30 anni da quando le alternative al CMOS come i MOSFET e gli IGBT hanno iniziato a sostituire i BJT in silicio nella maggior parte dei design di potenza; oggi, tuttavia, nuove versioni basate sul carburo di silicio (SiC) stanno facendo tornare i BJT alla ribalta, in particolar modo nelle applicazioni ad

Fairchild Semiconductor, nuovi IGBT a 650 V

Fairchild Semiconductor ha realizzato nuove serie di dispositive IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, destinati a migliorare le capacità di conversione dell’alimentazione e a semplificare le problematiche di sviluppo dei progettisti industriali.