Presso i laboratori del Fraunhofer ISE è stata messa a punto una speciale cella fotovoltaica multigiunzione al silicio, capace di superare un’efficienza di conversione del 30%.
Presso i laboratori del Fraunhofer ISE è stata messa a punto una speciale cella fotovoltaica multigiunzione al silicio, capace di superare un’efficienza di conversione del 30%.
Questo grazie alla collaborazione con gli esperti della EV Group, specializzati nella realizzazione di soluzioni di direct wafer bonding, un collegamento diretto sul wafer della cella che consente il trasferimento di particelle di semiconduttore verso la struttura in silicio. Nasce così la cella III-V/Si con due contatti, un dispositivo capace di superare la resa effettiva della sola struttura in silicio dello 0,8%, registrando valori del 30,2%.
L’architettura adotta tre sub strati, composti rispettivamente da: gallio-indio-fosfuro (GaInP), gallio-arseniuro (GaAs) e silicio (Si). Ogni componente si occupa di catturare una differente gamma dello spettro luminoso, assicurando maggiore efficienza lungo l’intero arco della giornata.
A seguito del processo di attivazione tra le giunzioni, gli strati risultano di fatto aggregati in un solo blocco integrato, del tutto indistinguibile rispetto a una cella standard e, pertanto, facilmente integrabile nei comuni moduli. In prospettiva, dunque, questa tipologia di dispositivo potrebbe beneficiare di un time-to-market relativamente ridotto, passando da prototipo a celle da certificare, a device per l’industria.