Aprile 4, 2012

Cristiano Sala

Fairchild Semiconductor, nuovi IGBT a 650 V

Fairchild Semiconductor ha realizzato nuove serie di dispositive IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, destinati a migliorare le capacità di conversione dell’alimentazione e a semplificare le problematiche di sviluppo dei progettisti industriali.

Fairchild Semiconductor ha realizzato nuove serie di dispositive IGBT, Insulated Gate Bipolar Transistor, destinati a migliorare le capacità di conversione dell’alimentazione e a semplificare le problematiche di sviluppo dei progettisti industriali.

Con la tecnologia incorporata negli IGBT field stop, Fairchild permette agli sviluppatori di realizzare sistemi ad alta efficienza e capaci di lavorare stabilmente sfruttando basse tensioni di ingresso. La nuova piattaforma consente performance ottimali, soprattutto operando in condizioni dove è richiesta una limitata perdita di commutazione e di conduzione. Gli IGBT da 650V possono gestire correnti elevate, hanno un coefficiente di temperatura positivo, una limitata distribuzione dei parametri e un ampio intervallo SOA (Safe Operating Area).

Sono stati progettati per offrire un “breakdown voltage” elevato, particolare che aumenta l’affidabilità anche in presenza di temperature ambientali negative; al diminuire della temperatura scende anche la tensione dell’IGBT e dell’FRD, rendendo questo dispositivo particolarmente adatto agli inverter solari utilizzati nei climi più freddi. Tra i vantaggi dei nuovi , Insulated Gate Bipolar Transistor Fairchild:

Higher blocking voltage senza compromettere le prestazioni

Coefficiente di temperatura positivo per facilitare il funzionamento in parallelo

Elevata capacità di corrente per una superiore conversione DC-AC

Temperatura massima di giunzione: TJ=175oC

Bassa tensione di saturazione: VCE(sat)= 1,9V(tip.)@ Ic=40A / 60A nominale

Alta velocità di commutazione per mantenere un’elevata efficienza del sistema

Basse perdite di conduzione e di commutazione

Ampio intervallo SOA (Safe Operating Area) – consente una superiore dissipazione della potenza

Limitata distribuzione dei parametri

Conformità ROHS

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