Con il termine CIGS si indica un materiale composito formato da rame, indio, gallio e selenio utilizzato per lo strato assorbente delle celle. Strutturalmente questo materiale è policristallino, formato cioè da piccolissimi cristalli, ed è un semiconduttore. Il CGIS è una variante del CIS (rame indio e selenio) e l'uso del gallio permette di incrementare il band gap ottico.
Dato che il CIGS è caratterizzato da un notevole assorbimento della luce, basta uno stato di pochissimi micron per catturare una buona quantità di luce solare. Di fatto una altissima percentuale della luce incidente è assorbita già dal primo micron del substrato, richiedendo uno spessore quindi nettamene inferiore a quello normalmente necessario per ottenere lo stesso assorbimento utilizzando silicio cristallino.
Un altro vantaggio di questo materiale è che offre una delle maggiori densità di corrente, con la possibilità di produrre elevate correnti in uscita. Un ulteriore vantaggio del CIGS consiste nella capacità di conservare a lungo le sue caratteristiche, più di questo non riescano a fare altri semiconduttori.